氟化镓是一种非常重要的半导体材料，广泛应用于电子产品中的LED、太阳能电池、半导体激光器等领域。这种材料能够起到决定性作用的原因是：它对半导体电子件的结构性能有着重要的影响。

在半导体领域，电子的能量带分布非常重要。半导体材料中，电子按能量分布在不同的带中，其中价带和导带之间存在一个能隙，称为禁带宽度。半导体器件的性能主要取决于这个禁带宽度。当半导体材料的禁带宽度适当时，才会有良好的电子传输特性，才能实现高效的光电转换、能量传输等功能。

氟化镓的出现，主要是为了改善氮化镓材料的性能。氮化镓是LED等半导体器件制造中常用的材料之一，但它存在缺陷，如厚度不易控制、热稳定性差等问题，这些问题都严重影响了器件的性能和可靠性。氟化镓作为一种材料，能够有效解决这些问题，并且能够对半导体器件的性能起到重要的影响。

首先，氟化镓对半导体电子件的所处能级有着直接影响。有研究表明，将氮化镓中部分氮原子用氟原子来代替，可以提高禁带宽度，从而提升了材料的电学性能。这是因为氟原子能够与氮原子形成较强的化学键，从而影响氮原子的晶格结构和电子轨道结构。这种变化会导致能带结构的变化，间接影响了半导体器件的特性。

其次，氟化镓对半导体器件的光学性能也有着重要的影响。在LED等器件中，半导体材料对光的吸收、反射、透过等性质极为关键。而氟化镓能够改变半导体材料的折射率和光学吸收系数，从而影响其光学性能。例如，将氟化镓用于制造太阳能电池，能够提高电池对太阳光的吸收效率，从而提升能量转换效率。

第三，氟化镓还能够影响半导体器件的热学性能。尤其是在高温环境下，半导体材料容易发生热膨胀、晶格畸变等问题，进而影响器件的性能和可靠性。氟化镓能够提高半导体材料的热稳定性，从而增强其在高温环境下的稳定性。这是因为氟化镓能够牢固地与半导体材料中的原子结合，抑制原子间的热运动，减少材料的热膨胀。

综上所述，氟化镓对半导体电子件结构性能的起决定性作用是多方面的。它能够改变半导体材料的能带结构，影响其光学和热学性能，进而影响器件的性能和可靠性。由此可见，氟化镓在半导体制造中的重要地位不容忽视。