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氧化镓半导体网上都通俗地叫第四代半导体，但正确的应该叫超宽禁带材料。
氧化镓（Ga2O3）是一种无机化合物，Ga2O3 有五种同分异构体：α，β，γ，δ，ε。这些同分异构体中，其中Z稳定的是β-异构体，当加热至1000℃以上或水热条件（即湿法）加热至300℃以上时，所有其他的异构体都被转换为β-异构体。可采用各自不同的方法制得各种纯的异构体。
氧化镓独特魅力一：超宽禁带。
氧化镓与碳化硅、氮化镓相比，氧化镓基功率器件具备高耐压、低损耗、高效率、小尺寸等特点，例如:同等耐压情况下，对比起碳化硅基器件的损耗，氧化镓基要降低86%，尺寸仅为碳化硅基的1/5左右。
作为新一代半导体材料的氧化镓（Ga2O3），是继第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）之后Z具市场潜力的材料。我国内超2/3的半导体产品依赖进口，氧化镓的出现，是国内市场的一次机遇，有望击碎“卡脖子”的现况。为此，今年我国科技部将氧化镓列入“十四五重点研发计划”，让第四代半导体获得更广泛关注。
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