氧化镓（GaO）——性能远超氮化镓的下一代半导体材料新星

2022-12-30 15:35:25

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氧化镓(III)，即三氧化二镓，是镓的氧化物中Z稳定的。在空气中加热金属镓使之氧化或在200-250℃时焙烧硝酸镓、氢氧化镓以及某些镓的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五种同分异构体：α，β，γ，δ，ε，其中Z稳定的是β-异构体，当加热至1000℃以上或水热条件（即湿法）加热至300℃以上时，所有其他的异构体都被转换为β-异构体。可采用各自不同的方法制得各种纯的异构体。

氧化镓（GaO）——性能远超氮化镓的下一代半导体材料新星

美国政府在针对中国的Z新举措中，Z近又对一种Z早由日本开发的下一代半导体材料实施了出口管制——氧化镓（GaO）。

在8月12日，美国商务部工业和安全局(BIS)发布了一项Z新裁决，将氧化镓（GaO）半导体基片——确定为“对美国国家安全至关重要的”的“新兴和基础”技术，这是美国全面实施衍生技术制裁的一部分氧化镓（GaO）——是21世纪Z有潜力的半导体材料之一，主要用于制造电动汽车、电子产品和军事等应用中的超高效功率器件。值得一提的是，美国国防部(US Department of Defense)是该领域ling先美国公司的主要投资者之一。

氧化镓（GaO）——性能远超氮化镓的下一代半导体材料新星