氧化镓(III),即三氧化二镓,是镓的氧化物中zui稳定的。在空气中加热金属镓使之氧化或在200-250℃时 焙烧硝酸镓、氢氧化镓以及某些镓的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五种同分异构体:α,β,γ,δ,ε,其中zui稳定的是β-异构体,当加热至1000℃以上或水热条件(即湿法)加热至300℃以上时,所有其他的异构体都被转换为β-异构体。可采用各自不同的方法制得各种纯的异构体。
如果你百度搜索氧化镓,就会发现他的连锁关键词为半导体材料。
半导体,一个非常大的概念,不同半导体又会使用不同的材料,那么凭什么氧化镓被封为“新时代材料呢”?
首先看一下它的物理特性:
作为半导体材料,氧化镓比现有的硅(Si)、碳化镓、碳化硅材料更容易实现高电压,并且具有保持稳定的性能,所以是一种节省电力的好材料。
这种特性让氧化镓多用于太阳能发电、风力发电、电动汽车等领域。作为新一代半导体器件,前景广阔。
什么是MOSFECT?
提到氧化镓,我们经常也会看到MOSFET这个单词。
首先,MOSFECT是晶体管的一种,它是一种半导体器件。
目前市面上出售的硅沟槽MOSFET一般只能在小于200V或者更低的电压下击穿。不过如果用了氧化镓材料的话,MOSFET可以承受2300V的极高电压!因此被成为超强半导体或者极端环境半导体。
(可以耐受极高电压、高温、高冲击、高辐射的半导体材料多为UWBG金刚石半导体和氧化镓半导体以及氮化铝半导体。)
而通过氧化镓制作的半导体不仅可以在更小的尺寸下承受更高的电压,还可以减少半导体芯片的尺寸以及芯片的规模和系统的尺寸。可谓是“小而强”