氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外,还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。
中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III);纳米氧化铟;三氧化二铟;氧化铟/纳米氧化铟;
英文名称:Indium Oxide
英文别名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
*确质量:277.79200
PSA:43.37000
用途:电阻式触摸屏中经常使用的原材料,主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外,广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。
近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域,特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材,制造透明电极和透明热反射体材料,用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。