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氧化镓材料的优势：
后摩尔时代，具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出，将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本。而超宽禁带的禁带宽度，决定了耐压值、损耗、功率、频率，以及使用等方面，超宽禁带材料相对于硅基和第三代半导体材料都有优势。
第四代半导体比较典型的材料有氧化镓、金刚石等。据张杰教授透露，北欧对氧化镓材料进行了长时间的研究工作。氧化镓半导体材料，是目前国际上普遍关注和认可的下一代超宽禁带代表性材料。
目前，对第四代半导体材料的研究和发展，已经进入了国际研究视野。与第三代半导体材料相比，第四代半导体材料在耐压性能、频率性能上又有一些新的提升。而且根据国际上著名出版集团每年对相关研究主题进行论文的学术统计，氧化镓的研究工作进入科睿唯安2021研究前沿物理类，已经得到了研究上的推进。
另外一个氧化镓材料应用，是利用它的超宽禁带的属性制作的光电子器件。也就是主要用于日盲光电器件，即紫外区域，波长短，禁带宽。由于日盲紫外技术在红外紫外双色制导、导弹识别跟踪、舰载通信等国防领域具有重大战略意义。
