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氧化镓是三氧化二镓（Ga2O3）的常用名称。这是一种白色粉末，棒状晶体，晶形以β相为主。三氧化二镓（Ga2O3）的棒状颗粒可团聚成较大的次级粒子。三氧化二镓被用于荧光粉、燃料电池的固体氧化物阴极、压电晶体、GGG晶体（钆镓石榴石），以及近年来流行的GIZO或者IGZO材料的溅射靶材。这些溅射靶材由镓、铟、锌和氧化物组成。平板组件行业新的OLED显示器中，GIZO及IGZO是非常流行的材料，因为它为控制显示像素的薄膜晶体管提供优异的移动率。
氧化镓材料潜力：
氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。同时通过熔体法（生长蓝宝石衬底的方法）可以获得低缺陷密度（103~104 cm-2）的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。
