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氢氧化铟可用于制取铟的氧化物，作为半导体材料，太阳能电池，液晶显示材料，低汞和无汞碱性电池的添加剂等。氢氧化铟（In(OH)3）属于铟的延伸产品，氢氧化铟是制造氧化铟或含氧化铟的化合物粉末的前躯体，可用于制造形成ITO膜(以铟-锡为主成分的复合氧化物)的溅射用ITO靶材。
ITO膜是广泛应用于太阳能电池和液晶显示器为主的显示设备的透明电极膜。随着全球数字化技术的迅速发展，当今光电设备逐渐向着个人化、平面显示的超大型和异形化的方向发展，溅射靶材等透明导电膜的需求量显著增加，氢氧化铟作为透明导电膜形成用主要原料的前躯体，其需求量也随之显著增加。
常用的制备In(OH)3的方法有化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、水热/溶剂热法、热分解法、模板法、微乳液法等。随着对氢氧化铟半导体深入研究以及人们对其性能的不断更新与需求，还涌现出很多新型的制备方法，如静电纺丝法、等离子合成法、电解法等。
但是，以上这些方法大都存在合成工艺步骤多、工艺参数多难以控制，对设备要求高等缺点导致生产周期长。例如，化学气相沉积法需要在高温高压或者真空状态中进行，对设备要求较高，而且产量较低，难以实现工业生产；水热/溶剂热法需要在高温高压下反应，高温高压以及部分易腐蚀物质会对反应釜衬层有一定的磨损，与此同时水热合成法的生长温度有一定的限制。
目前纳米氢氧化铟的制备技术都存在一定的技术优势及缺陷，要想获得生产成本低、产品纯度高、杂质含量低、粒度分布均匀、更符合客户需求的纳米氢氧化铟，必须结合上述工艺的优点，攻克技术难题。
