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半导体氧化物是目前在半导体技术领域受到高度重视的一类新材料。 氧化镓是能够处理极高电压以及深紫外区域光学透明度的特别材料。这些元件是基于特殊沉积方法所生产出来的超薄超纯半导体层。物理学家首次在晶体生长过程中观察到具有催化作用的氧化镓并大大增加它的产率。
氧化镓有希望成为一代具有前所未有性能的电子元件。Paul Drude固态电子研究所（PDI）的物理学家现在已经大幅提高了氧化镓的产率，并在晶体生长过程中首次观察到其具有催化效应。这个效应不仅是一个新的发现，它也可以移植到其他与氧化镓具有相似性质的材料上。
物理气相沉积（PVD）是制造薄且高纯度半导体层的关键技术之一。PVD的一种特殊形式是物理学家在他们的研究中使用的分子束外延（MBE）技术。MBE期间的反应化学比其他更复杂的半导体生产技术要简单得多。因此，PDI研究人员不期望在MBE过程中观察到催化效应。他们认为这种现象是一种金属交换催化的新机制。
他们的实验表明，加入元素铟大大增加了MBE期间氧化镓的生长速度。除此之外他们还透露，氧化镓可形成特殊的晶体结构，它特别适用于开发在许多组件中必不可少的氧化镓和氧化铟层的异质结构。
考虑到MBE的简单反应化学，研究人员确信所观察到的效果通常是有效的，因此适用于所有具有与氧化镓相似性质的材料。研究员Patrick Vogt博士补充说：“金属交换催化剂的发现提供了一种全新的方法来生长晶体材料，并且很可能开拓出从未有过的生产半导体组件的新途径。”
