氧化钪(Sc2O3)是钪制品中较为重要的产品之一。氟化铟它的物化性质与稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生产中采用的生产方法极为相似。Sc2O3可生成金属钪(Sc)，不同盐类(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多种钪合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的产物。这些钪制品具有实用的技术价值及较好的经济效果。氟化铟粉末由于Sc2O3具有一些特性,所以在铝合金、电光源、激光、催化剂、激活剂、陶瓷和宇航等方面已有较好的应用，其发展前景十分广阔。

铝合金中添加微量钪可以大幅提升铝合金的强度、塑韧性、耐高温性能、耐腐蚀性能、焊接性能和抗中子辐照损伤性能。宿迁市氟化铟已作为结构材料用于航天、航空、核反应堆等领域，在舰船、高铁列车、轻型汽车等领域也有着广泛的应用前景。氟化铟国外其他一些国家已在大型民用飞机的承重部件用铝钪合金材料代替其他材料，以提高飞机的综合性能。

锗是一种银白色金属，主要用于半导体工业，制造晶体管、二极管和电子高能原料，制造金属增加合金硬度，还用于医药工业。氟化铟锗及其化合物属低毒、锗吸收排泄迅速，经肝肾从尿中排出，肝脏和肾脏仅有微量锗。宿迁市氟化铟动物实验给二氧化锗10ug/g饲料14周，未产生明显毒性作用，相反可刺激动物生长，当给以1000ug/g的饲料则抑制动物生长，4周后有50%动物死亡，尸检发现肺气肿、肝肿大、肾小管变性和坏死。经过调查半导体工厂和锗厂，目前尚未锗及化合物引起职业中毒。

几年来，科学家们也一直致力于研究这种材料氧化镓（ga2O3）。氟化铟这种新型半导体的带隙相对较大，为4.8电子伏，这意味着在电力电子领域，特别是在高电压被转换成低电压的情况下，氧化镓至少部分地可以超过当前恒星的阶段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。宿迁市求购氟化铟粉末到目前为止，SiC是唯一一种不易产生明显缺陷的基体，但外延生长速度相对较慢。对于氮化镓来说，仍然没有有效的方法来生产大体积的合适的单晶。因此，它被沉积到像蓝宝石或硅这样的外来基板上，但它们的不同晶格常数导致了外延过程中的错位。

氮化镓作为一种与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，因与锗半导体互为等电子体，却拥有不同的结构与带隙，就引起了科学界对探索其特性的广泛兴趣。氟化铟氮化镓材料拥有良好的电学特性，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，氮化镓器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料。求购氟化铟粉末其也因此被业界看做是第三代半导体材料的代表。