二氧化锗为四方晶系、六方晶系或无定形体。氧化铋六方结晶与β-石英同构，锗为四配位，四方结晶具有超石英型结构，类似于金红石，其中锗为六配位。高压下，无定形二氧化锗转变为六配位结构;随着压力降低，二氧化锗也逐渐变为四配位的结构。类金红石型结构的二氧化锗在高压下可转变为另一种正交晶系氯化钙型结构。求购氧化铋二氧化锗不溶于水和盐酸，溶于碱液生成锗酸盐。 类金红石型结构的二氧化锗比六方二氧化锗更易溶于水，它与水作用时可产生锗酸。二氧化锗与锗粉在1000°C共热时，可得到一氧化锗。

氧化铟的用途：电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。氧化铋近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。沈阳求购氧化铋价格氧化铟的贮存方法：保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置。

氧化锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。氧化铋锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。沈阳氧化铋锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。

对于溅射类镀膜：可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。氧化铋溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之。沈阳氧化铋溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较般。以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。

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