氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氟化钡同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。吉林氟化钡β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。氟化钡而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。求购氟化钡分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要应用于生产液晶显示仪ITO和高能碱性电池锌粉及荧光材料等方面。规格：氧化铟为黄色粉末状。氧化铟每瓶重1000g±10g。化学成分：（Q指企业标准）

钪在合金中主要起着变质和细化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈现了性能优异的特色。氟化钡Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄罗斯已达到17种Al-Sc系列，我国也有几种合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。这类合金的特性其它材料无法代替，故从发展上看，其应用发展及潜力是很大的，可望成为今后的应用大户。吉林氟化钡如俄罗斯已工业化生产，且用于轻型结构件发展较快，我国也正在加快研制和应用，特别是在宇航和航空方面前景最好。

于从含钪矿物中直接提取钪制品较困难，因而目前主要从处理含钪矿物的副产物如废渣、废水、烟尘、赤泥中回收和提取氧化钪，再以高纯氧化钪制备金属钪、钪铝中间合金、钪盐等钪产品。氟化钡据新思界产业研究中心发布的《2019-2023年中国钪产品行业市场供需现状及发展趋势预测报告 》。求购氟化钡厂家目前从工业废液中直接提取钪的工艺主要有三种：溶剂萃取法、化学沉淀法、离子交换法。