对于溅射类镀膜：可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。氧化锗溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之。绥化氧化锗溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较般。以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。

纯的Sc2O3可用作彩色电视显象管阴极电子枪的氧化阴极激活剂,效果较好。氧化锗在彩管阴极上端喷一层一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化层，上面再弥散一层0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化层阴极中因Mg、Sr与Ba发生反应，促使Ba还原,释出的电子更活跃，发出大电流电子，使荧光体发光，比不用Sc2O3涂层的阴极可提高电流密度4倍，使电视画面更清晰，使阴极寿命提高3倍。氧化锗价格每台21英寸显像阴极用Sc2O3量为0.1mg。目前在世界上一些国家已用此阴极，如日本用的较多，可提高市场竞争力，促进电视机的销量。

真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅因为都需要高真空度而拥有统名称。氧化锗所以对于不同原理的真空镀膜，影响均匀性的因素也不尽相同。并且均匀性这个概念本身也会随着镀膜尺度和薄膜成分而有着不同的意义。氧化锗价格化学组分上的均匀性：就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产生不均匀性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。晶格有序度的均匀性：这决定了薄膜是单晶，多晶，非晶，是真空镀膜技术中的热点问题。

镓是一种低熔点高沸点的稀散金属，有“电子工业脊梁”的美誉。氧化锗镓的化合物是优质的半导体材料，被广泛应用到光电子工业和微波通信工业，用于制造微波通讯与微波集成、红外光学与红外探测器件、集成电路、发光二极管等。氧化锗价格例如我们在电脑上看到的红光和绿光就是由磷化镓二极管发出的。目前，半导体行业金属镓消费量约占总消费量的80%—85%。