氢氧化铟属于铟的延伸产品，为白色沉淀，加热至低于150℃时失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在浓碱中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由铟盐水溶液中加入氨水或氢氧化碱而得。呼和浩特氮化镓用途：广泛应用于显示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化学试剂、低汞和无汞电池的添加剂，以及ITO靶材，如太阳能电池、液晶显示材料、低汞和无汞碱性电池锌的添加剂等。氮化镓随着电池无汞化的进程，用氢氧化铟取代汞做为电池的添加剂已成为今后电池业的发展趋势。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。氮化镓而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。哪里有氮化镓分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要应用于生产液晶显示仪ITO和高能碱性电池锌粉及荧光材料等方面。规格：氧化铟为黄色粉末状。氧化铟每瓶重1000g±10g。化学成分：（Q指企业标准）

镓与铟、铊、锡、铋、锌等可在3℃—65℃之间组成一系列低熔合金，用于温度测控、仪表中的代汞物、珠定业作中支撑物、金属涂层、电子工业及核工业的冷却回路。氮化镓含25%铟的镓合金为低熔点合金，在16℃时便熔化，可用于自动灭火装置中。哪里有氮化镓镓与铜、镍、锡、金等可组成冷焊剂，适于难焊接的异型薄壁，金属间及其与陶瓷间的冷焊接与空洞堵塞。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。氮化镓我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。呼和浩特氮化镓粉末其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。

氮化镓作为一种与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，因与锗半导体互为等电子体，却拥有不同的结构与带隙，就引起了科学界对探索其特性的广泛兴趣。氮化镓氮化镓材料拥有良好的电学特性，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，氮化镓器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料。哪里有氮化镓粉末其也因此被业界看做是第三代半导体材料的代表。