目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。氟化镓特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。氟化镓厂家这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。

二氧化锗为四方晶系、六方晶系或无定形体。氟化镓六方结晶与β-石英同构，锗为四配位，四方结晶具有超石英型结构，类似于金红石，其中锗为六配位。高压下，无定形二氧化锗转变为六配位结构;随着压力降低，二氧化锗也逐渐变为四配位的结构。类金红石型结构的二氧化锗在高压下可转变为另一种正交晶系氯化钙型结构。高纯氟化镓二氧化锗不溶于水和盐酸，溶于碱液生成锗酸盐。 类金红石型结构的二氧化锗比六方二氧化锗更易溶于水，它与水作用时可产生锗酸。二氧化锗与锗粉在1000°C共热时，可得到一氧化锗。

用纯Sc2O3≥ 99.9%加入于钆镓石榴石(GGG)可制成钆镓钪石榴石(GGSG)，其构成为Gd3Sc2Ga3O12型式。氟化镓由它做成的第三代激光器所发出的发射功率比同体积的激光器提高3.0倍，已达到了大功率化和小型化的激光装置，提高了激光振荡输出功率，改进了激光器的使用性能。在制备单晶时，每炉料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料为1.0kg左右。氟化镓厂家目前这种激光器在军工技术上的应用日益广泛，也逐步推向民用工业。从发展看，今后在军用和民用的潜力较大。

镓与铟、铊、锡、铋、锌等可在3℃—65℃之间组成一系列低熔合金，用于温度测控、仪表中的代汞物、珠定业作中支撑物、金属涂层、电子工业及核工业的冷却回路。氟化镓含25%铟的镓合金为低熔点合金，在16℃时便熔化，可用于自动灭火装置中。高纯氟化镓镓与铜、镍、锡、金等可组成冷焊剂，适于难焊接的异型薄壁，金属间及其与陶瓷间的冷焊接与空洞堵塞。