氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。金属镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。大庆金属镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

在新型电光源中的应用，如钪-钠素灯，该灯发出的光接近太阳光，具有光度高，光色好，节电能，寿命长，破雾能力强等。金属镓在激光中的应用，在GGG加入钪后，制成GSGG，发射功率比同体积的其它激光器提高了三倍，并可达到大功率化和小型化的要求。在合金中的应用：在合金材科中主要用于合金的添加剂和改性剂，在铝及铝合金中加入钪后，可有效提高合金的综合性能。高纯金属镓厂家如合金的强度、硬度、耐热性、耐蚀性和焊接性等有明显提高。在其它领域的应用：如在中子过滤材料中加入钪后，在核燃料过滤时，可防止UO2发生相变，利于运行作业。如含钪的阴极用于彩电显像管内，使的电源密度提高4倍，阴极使用寿命增长3倍等。

氟化镓:白色结晶粉末。六方晶结构。金属镓易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英，晶体结构为离子晶体。物化性质:白色结晶粉末。六方晶结构。密度4.47g/cm³。熔点约1000℃。在氮气流中约800℃下升华而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氢氟酸中。由六氟镓酸铵热分解制取。三水合物易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英。高纯金属镓厂家氟化镓是一种无机化合物。这种白色固体的熔点超过1000°C，但是在950°C左右就会升华。它具有FeF3型结构，镓原子为6配位。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。金属镓电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。高纯金属镓厂家近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。

铋具有一系列的优良特性，如比重大、熔点低、凝固时体积冷胀热缩等，尤其是铋的无毒与不致癌性使铋具有很多特殊的用途。金属镓铋广泛应用于冶金、化工 、电子、宇航 、医药等领域。高纯金属镓从消费结构来看，各国铋的消费结构各有侧重，美国铋的消费主要用于冶金添加剂、低熔点合金、焊料、弹药筒以及医药化工行业等；日本和韩国的消费主要以电子行业为主；中国铋消费仍旧是以传统领域为主。