几年来，科学家们也一直致力于研究这种材料氧化镓（ga2O3）。氟化铟这种新型半导体的带隙相对较大，为4.8电子伏，这意味着在电力电子领域，特别是在高电压被转换成低电压的情况下，氧化镓至少部分地可以超过当前恒星的阶段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。齐齐哈尔哪里有氟化铟粉末到目前为止，SiC是唯一一种不易产生明显缺陷的基体，但外延生长速度相对较慢。对于氮化镓来说，仍然没有有效的方法来生产大体积的合适的单晶。因此，它被沉积到像蓝宝石或硅这样的外来基板上，但它们的不同晶格常数导致了外延过程中的错位。

纯的Sc2O3可用作彩色电视显象管阴极电子枪的氧化阴极激活剂,效果较好。氟化铟在彩管阴极上端喷一层一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化层，上面再弥散一层0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化层阴极中因Mg、Sr与Ba发生反应，促使Ba还原,释出的电子更活跃，发出大电流电子，使荧光体发光，比不用Sc2O3涂层的阴极可提高电流密度4倍，使电视画面更清晰，使阴极寿命提高3倍。氟化铟粉末每台21英寸显像阴极用Sc2O3量为0.1mg。目前在世界上一些国家已用此阴极，如日本用的较多，可提高市场竞争力，促进电视机的销量。

使金属镓在室温或加热的条件下与硫酸反应即可得到硫酸镓的水溶液。氟化铟或者将新制得的氢氧化镓Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸镓的水溶液。将这种硫酸镓水溶液在60～70℃的温度下进行浓缩，将所得的浓溶液冷却，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸镓Ga2(SO4)3·18H2O的八面体结晶。齐齐哈尔氟化铟反应中所用的氢氧化镓沉淀可用向三价镓盐的水溶液加氨水制得。为了使生成的氢氧化镓沉淀不致发生溶解，应注意不要使氨水加入过量。为了易于过滤，在沉定过程中可适当加热。

氧化镓的导热性能较差，但其禁带宽度(4.9eV)超过碳化硅(约3.4eV)，氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)的。氟化铟由于禁带宽度可衡量使电子进入导通状态所需的能量。采用宽禁带材料制成的系统可以比由禁带较窄材料组成的系统更薄、更轻，并且能应对更高的功率，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。哪里有氟化铟粉末宽禁带允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却系统的需求。

二氧化锗为四方晶系、六方晶系或无定形体。氟化铟六方结晶与β-石英同构，锗为四配位，四方结晶具有超石英型结构，类似于金红石，其中锗为六配位。高压下，无定形二氧化锗转变为六配位结构;随着压力降低，二氧化锗也逐渐变为四配位的结构。类金红石型结构的二氧化锗在高压下可转变为另一种正交晶系氯化钙型结构。哪里有氟化铟二氧化锗不溶于水和盐酸，溶于碱液生成锗酸盐。 类金红石型结构的二氧化锗比六方二氧化锗更易溶于水，它与水作用时可产生锗酸。二氧化锗与锗粉在1000°C共热时，可得到一氧化锗。