铝合金中添加微量钪可以大幅提升铝合金的强度、塑韧性、耐高温性能、耐腐蚀性能、焊接性能和抗中子辐照损伤性能。绍兴氧化镓已作为结构材料用于航天、航空、核反应堆等领域，在舰船、高铁列车、轻型汽车等领域也有着广泛的应用前景。氧化镓国外其他一些国家已在大型民用飞机的承重部件用铝钪合金材料代替其他材料，以提高飞机的综合性能。

于从含钪矿物中直接提取钪制品较困难，因而目前主要从处理含钪矿物的副产物如废渣、废水、烟尘、赤泥中回收和提取氧化钪，再以高纯氧化钪制备金属钪、钪铝中间合金、钪盐等钪产品。氧化镓据新思界产业研究中心发布的《2019-2023年中国钪产品行业市场供需现状及发展趋势预测报告 》。哪里有氧化镓粉末目前从工业废液中直接提取钪的工艺主要有三种：溶剂萃取法、化学沉淀法、离子交换法。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氧化镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。绍兴氧化镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

氧化镓的导热性能较差，但其禁带宽度(4.9eV)超过碳化硅(约3.4eV)，氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化镓由于禁带宽度可衡量使电子进入导通状态所需的能量。采用宽禁带材料制成的系统可以比由禁带较窄材料组成的系统更薄、更轻，并且能应对更高的功率，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。哪里有氧化镓粉末宽禁带允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却系统的需求。

极易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空气中强烈吸湿。氧化镓将金属铟与盐酸（滴入少量H2O2）反应，浓缩溶液时可得InCl3·4H2O，为无色结晶。56℃溶于自身的结晶水。在空气中加热将失去HCl，最终产物为In2O3而不能得无水的InCl3。无水的InCl3通常用金属铟和干燥的氯气在150~300℃直接反应制得；或用三氧化二铟（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反应，三氯化铟以纯品升华出来。哪里有氧化镓粉末三氯化铟稀水溶液喷撒在饲料上用作羊毛生长促进剂。也还有一氯化铟(InCl)和二氯化铟存在，前者由金属铟与氯化汞(HgCl2)在325℃反应制得，后者用三氯化铟与金属铟反应制得。二者不稳定，遇水分解。所以根据以上所述氧化铟是无毒的。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。氧化镓特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。氧化镓粉末这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。