氮化镓作为一种与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，因与锗半导体互为等电子体，却拥有不同的结构与带隙，就引起了科学界对探索其特性的广泛兴趣。锗粉氮化镓材料拥有良好的电学特性，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，氮化镓器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料。求购锗粉厂家其也因此被业界看做是第三代半导体材料的代表。

镓的卤化物具有较高的活性，可以用于聚合和脱水等工艺，例如使用三氯化镓(GaCl3)作催化剂生产乙基苯、丙基苯和酮。锗粉而来自美国和丹麦科研人员开发的一种新的镍-镓催化剂，可以用来转化氢和二氧化碳为甲醇。锗粉厂家为了提高石油开采的经济效益，包括中国在内的一些国家都在研究使用硝酸镓的新型石油催化剂。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。锗粉同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。双鸭山锗粉β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

氟化镓:白色结晶粉末。六方晶结构。锗粉易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英，晶体结构为离子晶体。物化性质:白色结晶粉末。六方晶结构。密度4.47g/cm³。熔点约1000℃。在氮气流中约800℃下升华而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氢氟酸中。由六氟镓酸铵热分解制取。三水合物易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英。求购锗粉厂家氟化镓是一种无机化合物。这种白色固体的熔点超过1000°C，但是在950°C左右就会升华。它具有FeF3型结构，镓原子为6配位。

氢氧化铟属于铟的延伸产品，为白色沉淀，加热至低于150℃时失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在浓碱中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由铟盐水溶液中加入氨水或氢氧化碱而得。双鸭山锗粉用途：广泛应用于显示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化学试剂、低汞和无汞电池的添加剂，以及ITO靶材，如太阳能电池、液晶显示材料、低汞和无汞碱性电池锌的添加剂等。锗粉随着电池无汞化的进程，用氢氧化铟取代汞做为电池的添加剂已成为今后电池业的发展趋势。