氧化钪的化学式为Sc2O3。性质：白色固体。具有稀土倍半氧化物的立方结构。密度3.864.熔点2403℃±20℃。不溶于水，溶于热酸中。锗粉由钪盐热分解制得。可用作半导体镀层的蒸镀材料。制做可变波长的固体激光器和高清晰度的电视电子枪、金属卤化物灯等。由于Sc2O3产品具有独特的物化性质，故在20世纪80年代以来，在许多高新技术和工业部门中获得了较好的应用发展。求购锗粉厂家目前我国及世界的Sc2O3在合金、电光源、催化剂、激活剂和陶瓷等领域的应用状况叙述于后。

金属钪比起钇和镧系元素来，由于离子半径特别小，氢氧化物的碱性也特别弱，因此，钪和稀土元素混在一起时，用氨（或极稀的碱）处理，钪将首先析出，故应用“分级沉淀”法可比较容易地把它从稀土元素中分离出来。锗粉另一种方法是利用硝酸盐的分极分解进行分离，由于硝酸钪容易分解，从而达到分离的目的。锗粉厂家用电解的方法可制得金属钪，在炼钪时将ScCl3、KCl、LiCl共熔，以熔融的锌为阴极电解之，使钪在锌极上析出，然后将锌蒸去可得金属钪。

用纯Sc2O3≥ 99.9%加入于钆镓石榴石(GGG)可制成钆镓钪石榴石(GGSG)，其构成为Gd3Sc2Ga3O12型式。锗粉由它做成的第三代激光器所发出的发射功率比同体积的激光器提高3.0倍，已达到了大功率化和小型化的激光装置，提高了激光振荡输出功率，改进了激光器的使用性能。在制备单晶时，每炉料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料为1.0kg左右。锗粉厂家目前这种激光器在军工技术上的应用日益广泛，也逐步推向民用工业。从发展看，今后在军用和民用的潜力较大。

使金属镓在室温或加热的条件下与硫酸反应即可得到硫酸镓的水溶液。锗粉或者将新制得的氢氧化镓Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸镓的水溶液。将这种硫酸镓水溶液在60～70℃的温度下进行浓缩，将所得的浓溶液冷却，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸镓Ga2(SO4)3·18H2O的八面体结晶。河北锗粉反应中所用的氢氧化镓沉淀可用向三价镓盐的水溶液加氨水制得。为了使生成的氢氧化镓沉淀不致发生溶解，应注意不要使氨水加入过量。为了易于过滤，在沉定过程中可适当加热。

极易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空气中强烈吸湿。锗粉将金属铟与盐酸（滴入少量H2O2）反应，浓缩溶液时可得InCl3·4H2O，为无色结晶。56℃溶于自身的结晶水。在空气中加热将失去HCl，最终产物为In2O3而不能得无水的InCl3。无水的InCl3通常用金属铟和干燥的氯气在150~300℃直接反应制得；或用三氧化二铟（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反应，三氯化铟以纯品升华出来。求购锗粉厂家三氯化铟稀水溶液喷撒在饲料上用作羊毛生长促进剂。也还有一氯化铟(InCl)和二氯化铟存在，前者由金属铟与氯化汞(HgCl2)在325℃反应制得，后者用三氯化铟与金属铟反应制得。二者不稳定，遇水分解。所以根据以上所述氧化铟是无毒的。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。锗粉我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。河北锗粉厂家其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。