氧化钪的化学式为Sc2O3。性质：白色固体。具有稀土倍半氧化物的立方结构。密度3.864.熔点2403℃±20℃。不溶于水，溶于热酸中。金属镓由钪盐热分解制得。可用作半导体镀层的蒸镀材料。制做可变波长的固体激光器和高清晰度的电视电子枪、金属卤化物灯等。由于Sc2O3产品具有独特的物化性质，故在20世纪80年代以来，在许多高新技术和工业部门中获得了较好的应用发展。高纯金属镓粉末目前我国及世界的Sc2O3在合金、电光源、催化剂、激活剂和陶瓷等领域的应用状况叙述于后。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。金属镓而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。高纯金属镓分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要应用于生产液晶显示仪ITO和高能碱性电池锌粉及荧光材料等方面。规格：氧化铟为黄色粉末状。氧化铟每瓶重1000g±10g。化学成分：（Q指企业标准）

镓的市场小，很容易受外界的影响，中铝河南、遵义工厂的开工使镓的供应增加，市场对后市供应可能会再度过剩的恐慌情绪对价格产生影响，造成镓的价格难以维持平稳，镓的进行价格调整期。金属镓需要指出的是，目前镓的价格已经接近生产成本线，后续镓的生产将进入亏本经营，镓市场降价趋势的过早来临改变了本年度下游对市场的预期，2017年的最后一个多月，镓市场将会进入煎熬的调整期。金属镓粉末下周镓的市场预期仍不被看好，将稳中有降低。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。金属镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。辽阳金属镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。