对于溅射类镀膜：可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。氧化铋溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之。绍兴氧化铋溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较般。以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。氧化铋我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。绍兴氧化铋厂家其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。氧化铋而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。高纯氧化铋分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要应用于生产液晶显示仪ITO和高能碱性电池锌粉及荧光材料等方面。规格：氧化铟为黄色粉末状。氧化铟每瓶重1000g±10g。化学成分：（Q指企业标准）

三氧化二铋纯品有α型和β型。α型为黄色单斜晶系结晶，相对密度8.9，熔点825 ℃，溶于酸，不溶于水和碱。氧化铋β型为亮黄色至橙色，正方晶系，相对密度8.55，熔点860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氢气、烃类等还原为金属铋。氧化铋用于制备铋盐；用作电子陶瓷粉体材料、电解质材料、光电材料、高温超导材料、催化剂。高纯氧化铋氧化铋作为电子陶瓷粉体材料中的重要添加剂，纯度一般要求在99.15%以上，主要应用对象有氧化锌压敏电阻、陶瓷电容、铁氧体磁性材料三类；以及釉药橡胶配合剂、医药、红色玻璃配合剂等方面。