目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。硫酸铟特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。硫酸铟粉末这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。

三氧化二铋纯品有α型和β型。α型为黄色单斜晶系结晶，相对密度8.9，熔点825 ℃，溶于酸，不溶于水和碱。硫酸铟β型为亮黄色至橙色，正方晶系，相对密度8.55，熔点860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氢气、烃类等还原为金属铋。氧化铋用于制备铋盐；用作电子陶瓷粉体材料、电解质材料、光电材料、高温超导材料、催化剂。哪里有硫酸铟氧化铋作为电子陶瓷粉体材料中的重要添加剂，纯度一般要求在99.15%以上，主要应用对象有氧化锌压敏电阻、陶瓷电容、铁氧体磁性材料三类；以及釉药橡胶配合剂、医药、红色玻璃配合剂等方面。

氧化铟的合成方法有哪些？将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3，精细控制还原条件可制得高纯In2O3。哪里有硫酸铟粉末也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，In2O3有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为In2O3容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。硫酸铟将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成In2O3，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。

用纯Sc2O3≥ 99.9%加入于钆镓石榴石(GGG)可制成钆镓钪石榴石(GGSG)，其构成为Gd3Sc2Ga3O12型式。硫酸铟由它做成的第三代激光器所发出的发射功率比同体积的激光器提高3.0倍，已达到了大功率化和小型化的激光装置，提高了激光振荡输出功率，改进了激光器的使用性能。在制备单晶时，每炉料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料为1.0kg左右。硫酸铟粉末目前这种激光器在军工技术上的应用日益广泛，也逐步推向民用工业。从发展看，今后在军用和民用的潜力较大。