氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氧化铋同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。通辽氧化铋β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度大于硅，氮化镓和碳化硅，在高功率应用领域的应用优势愈加明显。氧化铋但氧化镓不会取代SiC和GaN，后两者是硅之后的下一代主要半导体材料。氧化铋价格氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。而最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器，如电动汽车和光伏太阳能系统。但是，在成为电力电子产品的主要竞争者之前，氧化镓仍需要开展更多的研发和推进工作，以克服自身的不足。

镓的卤化物具有较高的活性，可以用于聚合和脱水等工艺，例如使用三氯化镓(GaCl3)作催化剂生产乙基苯、丙基苯和酮。氧化铋而来自美国和丹麦科研人员开发的一种新的镍-镓催化剂，可以用来转化氢和二氧化碳为甲醇。氧化铋价格为了提高石油开采的经济效益，包括中国在内的一些国家都在研究使用硝酸镓的新型石油催化剂。

极易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空气中强烈吸湿。氧化铋将金属铟与盐酸（滴入少量H2O2）反应，浓缩溶液时可得InCl3·4H2O，为无色结晶。56℃溶于自身的结晶水。在空气中加热将失去HCl，最终产物为In2O3而不能得无水的InCl3。无水的InCl3通常用金属铟和干燥的氯气在150~300℃直接反应制得；或用三氧化二铟（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反应，三氯化铟以纯品升华出来。高纯氧化铋价格三氯化铟稀水溶液喷撒在饲料上用作羊毛生长促进剂。也还有一氯化铟(InCl)和二氯化铟存在，前者由金属铟与氯化汞(HgCl2)在325℃反应制得，后者用三氯化铟与金属铟反应制得。二者不稳定，遇水分解。所以根据以上所述氧化铟是无毒的。

在原子能工业中，镓可以作为热传导物质，将反应堆中的热量传导出来。此外，镓还可以吸收中子，从而达到控制中子数目和反应速度的效果。氧化铋碘化镓应用到高压水银灯镓还可以用来制造阴极蒸汽灯。将碘化镓加入到高压水银灯中，可以增大水银灯的辐射强度。由于镓具有“热缩冷胀”性质，所以具有较好的铸造性，可以用来制造铅字合金，使字体清晰。通辽氧化铋镓蒸汽压很低，可以在真空装置中做密封液。

镓是一种低熔点高沸点的稀散金属，有“电子工业脊梁”的美誉。氧化铋镓的化合物是优质的半导体材料，被广泛应用到光电子工业和微波通信工业，用于制造微波通讯与微波集成、红外光学与红外探测器件、集成电路、发光二极管等。氧化铋价格例如我们在电脑上看到的红光和绿光就是由磷化镓二极管发出的。目前，半导体行业金属镓消费量约占总消费量的80%—85%。