用途：用于制锗，也用于电子工业。用作半导体材料。纳米氧化镓用作金属锗和其他锗化合物的制取原料、制取聚对苯二甲酸乙二酯树脂时的催化剂以及光谱分析和半导体材料。可以制造光学玻璃荧光粉，可作为催化剂用于石油提炼时转化、去氢、汽油馏份的调整、彩色胶卷及聚脂纤维生产。纳米氧化镓厂家不但如此，二氧化锗还是聚合反应的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，随着技术的发展，二氧化锗被广泛用于制作高纯金属锗、锗化合物、化工催化剂及医药工业，PET树脂、电子器件等。

氟化镓:白色结晶粉末。六方晶结构。纳米氧化镓易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英，晶体结构为离子晶体。物化性质:白色结晶粉末。六方晶结构。密度4.47g/cm³。熔点约1000℃。在氮气流中约800℃下升华而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氢氟酸中。由六氟镓酸铵热分解制取。三水合物易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英。高纯纳米氧化镓厂家氟化镓是一种无机化合物。这种白色固体的熔点超过1000°C，但是在950°C左右就会升华。它具有FeF3型结构，镓原子为6配位。

铝合金中添加微量钪可以大幅提升铝合金的强度、塑韧性、耐高温性能、耐腐蚀性能、焊接性能和抗中子辐照损伤性能。兴安盟纳米氧化镓已作为结构材料用于航天、航空、核反应堆等领域，在舰船、高铁列车、轻型汽车等领域也有着广泛的应用前景。纳米氧化镓国外其他一些国家已在大型民用飞机的承重部件用铝钪合金材料代替其他材料，以提高飞机的综合性能。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。纳米氧化镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。兴安盟纳米氧化镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。纳米氧化镓而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。高纯纳米氧化镓分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要应用于生产液晶显示仪ITO和高能碱性电池锌粉及荧光材料等方面。规格：氧化铟为黄色粉末状。氧化铟每瓶重1000g±10g。化学成分：（Q指企业标准）

使金属镓在室温或加热的条件下与硫酸反应即可得到硫酸镓的水溶液。纳米氧化镓或者将新制得的氢氧化镓Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸镓的水溶液。将这种硫酸镓水溶液在60～70℃的温度下进行浓缩，将所得的浓溶液冷却，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸镓Ga2(SO4)3·18H2O的八面体结晶。兴安盟纳米氧化镓反应中所用的氢氧化镓沉淀可用向三价镓盐的水溶液加氨水制得。为了使生成的氢氧化镓沉淀不致发生溶解，应注意不要使氨水加入过量。为了易于过滤，在沉定过程中可适当加热。