氮化镓作为一种与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，因与锗半导体互为等电子体，却拥有不同的结构与带隙，就引起了科学界对探索其特性的广泛兴趣。氧化铟氮化镓材料拥有良好的电学特性，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，氮化镓器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料。高纯氧化铟粉末其也因此被业界看做是第三代半导体材料的代表。

镓也被应用到太阳能电池的制造中，如砷化镓三五族太阳能电池，该电池具有良好的耐热、耐辐射等特性，其光电转换率非常高。氧化铟最初因为生产、使用成本都非常高，常常被应用在航天和军工领域。但近几年随着科技的发展，金属镓太阳能电池的生产和使用成本都在降低，搭配上聚光光学组件从而使其应用领域开始扩大，并且正在以较快的速度普及。CIGS薄膜太阳能电池是第三代太阳能电池，具有生产、安装、使用成本低，光电转换率高的优势，因而在众多太阳能电池产品中成为发展最快的一族。高纯氧化铟虽然世界上已投产或在建的CIGS工厂已超过40多家，但金属镓在CIGS的原材料中所占比重仅为5%—10%。随着CIGS生产规模的扩大，该行业对金属镓的需求会有明显增长。

镓的卤化物具有较高的活性，可以用于聚合和脱水等工艺，例如使用三氯化镓(GaCl3)作催化剂生产乙基苯、丙基苯和酮。氧化铟而来自美国和丹麦科研人员开发的一种新的镍-镓催化剂，可以用来转化氢和二氧化碳为甲醇。氧化铟粉末为了提高石油开采的经济效益，包括中国在内的一些国家都在研究使用硝酸镓的新型石油催化剂。

氟化镓:白色结晶粉末。六方晶结构。氧化铟易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英，晶体结构为离子晶体。物化性质:白色结晶粉末。六方晶结构。密度4.47g/cm³。熔点约1000℃。在氮气流中约800℃下升华而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氢氟酸中。由六氟镓酸铵热分解制取。三水合物易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英。高纯氧化铟粉末氟化镓是一种无机化合物。这种白色固体的熔点超过1000°C，但是在950°C左右就会升华。它具有FeF3型结构，镓原子为6配位。

锗粉,常见的微米级锗粉和亚纳米锗粉一般都是将金属锗锭通过物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化铟锗粉具有金属锗同样优秀的光学性能和半导体性能。锗粉按加工设备分类有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨锗粉能够达到亚纳米粒径。高纯氧化铟储粉主要用于治金、荧光粉,锗粉还可以用于锗半导体器件,如锗二极管、品体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器件作光电锗粉用于霍耳及压阻效应的传感器,作光电导效应的放射线检测器等,广泛用于彩电、电脑、电话及高频设备中。

用纯Sc2O3≥ 99.9%加入于钆镓石榴石(GGG)可制成钆镓钪石榴石(GGSG)，其构成为Gd3Sc2Ga3O12型式。氧化铟由它做成的第三代激光器所发出的发射功率比同体积的激光器提高3.0倍，已达到了大功率化和小型化的激光装置，提高了激光振荡输出功率，改进了激光器的使用性能。在制备单晶时，每炉料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料为1.0kg左右。氧化铟粉末目前这种激光器在军工技术上的应用日益广泛，也逐步推向民用工业。从发展看，今后在军用和民用的潜力较大。