氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。醋酸铟同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。辽源醋酸铟β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

锗是一种银白色金属，主要用于半导体工业，制造晶体管、二极管和电子高能原料，制造金属增加合金硬度，还用于医药工业。醋酸铟锗及其化合物属低毒、锗吸收排泄迅速，经肝肾从尿中排出，肝脏和肾脏仅有微量锗。辽源醋酸铟动物实验给二氧化锗10ug/g饲料14周，未产生明显毒性作用，相反可刺激动物生长，当给以1000ug/g的饲料则抑制动物生长，4周后有50%动物死亡，尸检发现肺气肿、肝肿大、肾小管变性和坏死。经过调查半导体工厂和锗厂，目前尚未锗及化合物引起职业中毒。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。醋酸铟我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。辽源醋酸铟厂家其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。

氟化镓:白色结晶粉末。六方晶结构。醋酸铟易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英，晶体结构为离子晶体。物化性质:白色结晶粉末。六方晶结构。密度4.47g/cm³。熔点约1000℃。在氮气流中约800℃下升华而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氢氟酸中。由六氟镓酸铵热分解制取。三水合物易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英。求购醋酸铟厂家氟化镓是一种无机化合物。这种白色固体的熔点超过1000°C，但是在950°C左右就会升华。它具有FeF3型结构，镓原子为6配位。

氧化锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。醋酸铟锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。辽源醋酸铟锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。