氧化锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。氧化铟锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。七台河氧化铟锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。

氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度大于硅，氮化镓和碳化硅，在高功率应用领域的应用优势愈加明显。氧化铟但氧化镓不会取代SiC和GaN，后两者是硅之后的下一代主要半导体材料。氧化铟价格氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。而最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器，如电动汽车和光伏太阳能系统。但是，在成为电力电子产品的主要竞争者之前，氧化镓仍需要开展更多的研发和推进工作，以克服自身的不足。

镓的市场小，很容易受外界的影响，中铝河南、遵义工厂的开工使镓的供应增加，市场对后市供应可能会再度过剩的恐慌情绪对价格产生影响，造成镓的价格难以维持平稳，镓的进行价格调整期。氧化铟需要指出的是，目前镓的价格已经接近生产成本线，后续镓的生产将进入亏本经营，镓市场降价趋势的过早来临改变了本年度下游对市场的预期，2017年的最后一个多月，镓市场将会进入煎熬的调整期。氧化铟价格下周镓的市场预期仍不被看好，将稳中有降低。

钪在合金中主要起着变质和细化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈现了性能优异的特色。氧化铟Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄罗斯已达到17种Al-Sc系列，我国也有几种合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。这类合金的特性其它材料无法代替，故从发展上看，其应用发展及潜力是很大的，可望成为今后的应用大户。七台河氧化铟如俄罗斯已工业化生产，且用于轻型结构件发展较快，我国也正在加快研制和应用，特别是在宇航和航空方面前景最好。

真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅因为都需要高真空度而拥有统名称。氧化铟所以对于不同原理的真空镀膜，影响均匀性的因素也不尽相同。并且均匀性这个概念本身也会随着镀膜尺度和薄膜成分而有着不同的意义。氧化铟价格化学组分上的均匀性：就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产生不均匀性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。晶格有序度的均匀性：这决定了薄膜是单晶，多晶，非晶，是真空镀膜技术中的热点问题。

对于不同的溅射材料和基片，参数需要实验确定，是各不相同的。高纯氧化铟价格镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。氧化铟MBE分子束外沿镀膜技术，已经比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。