对于蒸发镀膜：一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程(散点-岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。氧化锗厚度均匀性主要取决于：1、基片材料与靶材的晶格匹配程度；2、基片表面温度；3、蒸发功率，速率；4、真空度；5、镀膜时间，厚度大小。组分均匀性：蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。丹东氧化锗晶向均匀性：1、晶格匹配度；2、基片温度；3、蒸发速率

目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。氧化锗特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。氧化锗粉末这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。

极易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空气中强烈吸湿。氧化锗将金属铟与盐酸（滴入少量H2O2）反应，浓缩溶液时可得InCl3·4H2O，为无色结晶。56℃溶于自身的结晶水。在空气中加热将失去HCl，最终产物为In2O3而不能得无水的InCl3。无水的InCl3通常用金属铟和干燥的氯气在150~300℃直接反应制得；或用三氧化二铟（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反应，三氯化铟以纯品升华出来。哪里有氧化锗粉末三氯化铟稀水溶液喷撒在饲料上用作羊毛生长促进剂。也还有一氯化铟(InCl)和二氯化铟存在，前者由金属铟与氯化汞(HgCl2)在325℃反应制得，后者用三氯化铟与金属铟反应制得。二者不稳定，遇水分解。所以根据以上所述氧化铟是无毒的。

金属铋粉主要用于制造易熔合金，熔点范围是47～262℃，最常用的是铋同铅、锡、锑、铟等金属组成的合金，用于消防装置、自动喷水器、锅炉的安全塞，一旦发生火灾时，一些水管的活塞会“自动”熔化，喷出水来。氧化锗在消防和电气工业上，用作自动灭火系统和电器保险丝、焊锡。铋合金具有凝固时不收缩的特性，用于铸造印刷铅字和高精度铸型。氧化锗粉末碳酸氧铋和硝酸氧铋用于治疗皮肤损伤和肠胃病。用于制低熔合金，在消防和电气安全装置上有特殊的重要性，在分析化学中用于检测Mn。铋可制低熔点合金，用于自动关闭器或活字合金中。

氧化锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。氧化锗锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。丹东氧化锗锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。

对于不同的溅射材料和基片，参数需要实验确定，是各不相同的。哪里有氧化锗粉末镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。氧化锗MBE分子束外沿镀膜技术，已经比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。