对于溅射类镀膜：可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。硫酸镓溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之。江苏硫酸镓溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较般。以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。

锗是一种银白色金属，主要用于半导体工业，制造晶体管、二极管和电子高能原料，制造金属增加合金硬度，还用于医药工业。硫酸镓锗及其化合物属低毒、锗吸收排泄迅速，经肝肾从尿中排出，肝脏和肾脏仅有微量锗。江苏硫酸镓动物实验给二氧化锗10ug/g饲料14周，未产生明显毒性作用，相反可刺激动物生长，当给以1000ug/g的饲料则抑制动物生长，4周后有50%动物死亡，尸检发现肺气肿、肝肿大、肾小管变性和坏死。经过调查半导体工厂和锗厂，目前尚未锗及化合物引起职业中毒。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。硫酸镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。江苏硫酸镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

钪是稀土元素的一种，是应用于诸多国防军工及高科技领域的不可替代的战略资源。硫酸镓金属钪粉在新材料领域中的应用，包括在铝钪合金、燃料电池、钪钠卤灯、示踪剂、激光晶体、特种钢和有色合金中的作用，并分析了它们的具体应用领域。江苏硫酸镓随后分析了制约钪规模化应用的因素，并简要介绍了当前钪资源的生产开发状况。