目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。氢氧化铟特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。氢氧化铟价格这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。

氧化锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。氢氧化铟锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。江苏氢氧化铟锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。

极易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空气中强烈吸湿。氢氧化铟将金属铟与盐酸（滴入少量H2O2）反应，浓缩溶液时可得InCl3·4H2O，为无色结晶。56℃溶于自身的结晶水。在空气中加热将失去HCl，最终产物为In2O3而不能得无水的InCl3。无水的InCl3通常用金属铟和干燥的氯气在150~300℃直接反应制得；或用三氧化二铟（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反应，三氯化铟以纯品升华出来。求购氢氧化铟价格三氯化铟稀水溶液喷撒在饲料上用作羊毛生长促进剂。也还有一氯化铟(InCl)和二氯化铟存在，前者由金属铟与氯化汞(HgCl2)在325℃反应制得，后者用三氯化铟与金属铟反应制得。二者不稳定，遇水分解。所以根据以上所述氧化铟是无毒的。

铝合金中添加微量钪可以大幅提升铝合金的强度、塑韧性、耐高温性能、耐腐蚀性能、焊接性能和抗中子辐照损伤性能。江苏氢氧化铟已作为结构材料用于航天、航空、核反应堆等领域，在舰船、高铁列车、轻型汽车等领域也有着广泛的应用前景。氢氧化铟国外其他一些国家已在大型民用飞机的承重部件用铝钪合金材料代替其他材料，以提高飞机的综合性能。

氧化镓的导热性能较差，但其禁带宽度(4.9eV)超过碳化硅(约3.4eV)，氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)的。氢氧化铟由于禁带宽度可衡量使电子进入导通状态所需的能量。采用宽禁带材料制成的系统可以比由禁带较窄材料组成的系统更薄、更轻，并且能应对更高的功率，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。求购氢氧化铟价格宽禁带允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却系统的需求。