氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氟化镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。温州氟化镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。氟化镓电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。高纯氟化镓粉末近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。

纯的Sc2O3可用作彩色电视显象管阴极电子枪的氧化阴极激活剂,效果较好。氟化镓在彩管阴极上端喷一层一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化层，上面再弥散一层0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化层阴极中因Mg、Sr与Ba发生反应，促使Ba还原,释出的电子更活跃，发出大电流电子，使荧光体发光，比不用Sc2O3涂层的阴极可提高电流密度4倍，使电视画面更清晰，使阴极寿命提高3倍。氟化镓粉末每台21英寸显像阴极用Sc2O3量为0.1mg。目前在世界上一些国家已用此阴极，如日本用的较多，可提高市场竞争力，促进电视机的销量。

生产工艺技术及设备经过多年来的研究和生产实践后，目前从含钪原料中提取Sc2O3的工艺技术有下列几种方法：①萃取法。氟化镓生产中使用较多,其具有产量大、质量好、回收率高、成本低及生产中可连续作业的特点。②离子交换法。生产中也常被采用。其具有产量小，纯度较高，收率较低，成本较高及生产周期长的特点。③萃淋树脂色层法。其具有生产周期短，纯度高，收率高和成本低的特点。④液膜萃取法。高纯氟化镓它是膜分离与液液萃取相结合的一种新型分离技术。

镓与铟、铊、锡、铋、锌等可在3℃—65℃之间组成一系列低熔合金，用于温度测控、仪表中的代汞物、珠定业作中支撑物、金属涂层、电子工业及核工业的冷却回路。氟化镓含25%铟的镓合金为低熔点合金，在16℃时便熔化，可用于自动灭火装置中。高纯氟化镓镓与铜、镍、锡、金等可组成冷焊剂，适于难焊接的异型薄壁，金属间及其与陶瓷间的冷焊接与空洞堵塞。