用纯Sc2O3≥ 99.9%加入于钆镓石榴石(GGG)可制成钆镓钪石榴石(GGSG)，其构成为Gd3Sc2Ga3O12型式。氧化锗由它做成的第三代激光器所发出的发射功率比同体积的激光器提高3.0倍，已达到了大功率化和小型化的激光装置，提高了激光振荡输出功率，改进了激光器的使用性能。在制备单晶时，每炉料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料为1.0kg左右。氧化锗粉末目前这种激光器在军工技术上的应用日益广泛，也逐步推向民用工业。从发展看，今后在军用和民用的潜力较大。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。氧化锗我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。衡水氧化锗粉末其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。

氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度大于硅，氮化镓和碳化硅，在高功率应用领域的应用优势愈加明显。氧化锗但氧化镓不会取代SiC和GaN，后两者是硅之后的下一代主要半导体材料。氧化锗粉末氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。而最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器，如电动汽车和光伏太阳能系统。但是，在成为电力电子产品的主要竞争者之前，氧化镓仍需要开展更多的研发和推进工作，以克服自身的不足。

铟是一种很软的、带蓝色色调的有银白色金属光泽的金属。氧化锗铟比铅还软，即使在液态氮的温度下；用指甲可以轻易地留下划痕，铟也能在和其他金属摩擦的时候附着到其他金属上去。氧化锗粉末铟的挥发性比锌和镉的小，但在氢气或真空中能够升华。铟及其化合物对人体没有明显的危害，但应避免它们和身体破伤的部位接触。铟能形成+1、+2和+3价的化合物，其中主要为+3价的铟化合物，如In2O3、InCl3、InN等。铟粉主要用于太阳能电池导电浆，补牙材料，以及用作透明电极（ITO膜）、电子工业中焊料、低熔合金、高性能发动机的轴承、低温和真空领域作密封件等。