锗粉,常见的微米级锗粉和亚纳米锗粉一般都是将金属锗锭通过物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化锗锗粉具有金属锗同样优秀的光学性能和半导体性能。锗粉按加工设备分类有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨锗粉能够达到亚纳米粒径。求购氧化锗储粉主要用于治金、荧光粉,锗粉还可以用于锗半导体器件,如锗二极管、品体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器件作光电锗粉用于霍耳及压阻效应的传感器,作光电导效应的放射线检测器等,广泛用于彩电、电脑、电话及高频设备中。

镓与铟、铊、锡、铋、锌等可在3℃—65℃之间组成一系列低熔合金，用于温度测控、仪表中的代汞物、珠定业作中支撑物、金属涂层、电子工业及核工业的冷却回路。氧化锗含25%铟的镓合金为低熔点合金，在16℃时便熔化，可用于自动灭火装置中。求购氧化锗镓与铜、镍、锡、金等可组成冷焊剂，适于难焊接的异型薄壁，金属间及其与陶瓷间的冷焊接与空洞堵塞。

铟是一种很软的、带蓝色色调的有银白色金属光泽的金属。氧化锗铟比铅还软，即使在液态氮的温度下；用指甲可以轻易地留下划痕，铟也能在和其他金属摩擦的时候附着到其他金属上去。氧化锗价格铟的挥发性比锌和镉的小，但在氢气或真空中能够升华。铟及其化合物对人体没有明显的危害，但应避免它们和身体破伤的部位接触。铟能形成+1、+2和+3价的化合物，其中主要为+3价的铟化合物，如In2O3、InCl3、InN等。铟粉主要用于太阳能电池导电浆，补牙材料，以及用作透明电极（ITO膜）、电子工业中焊料、低熔合金、高性能发动机的轴承、低温和真空领域作密封件等。

氧化镓的导热性能较差，但其禁带宽度(4.9eV)超过碳化硅(约3.4eV)，氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化锗由于禁带宽度可衡量使电子进入导通状态所需的能量。采用宽禁带材料制成的系统可以比由禁带较窄材料组成的系统更薄、更轻，并且能应对更高的功率，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。求购氧化锗价格宽禁带允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却系统的需求。

真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜原理的不同分为很多种类，仅仅因为都需要高真空度而拥有统名称。氧化锗所以对于不同原理的真空镀膜，影响均匀性的因素也不尽相同。并且均匀性这个概念本身也会随着镀膜尺度和薄膜成分而有着不同的意义。氧化锗价格化学组分上的均匀性：就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产生不均匀性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。晶格有序度的均匀性：这决定了薄膜是单晶，多晶，非晶，是真空镀膜技术中的热点问题。