氧化锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。氟化铟锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。抚顺氟化铟锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。氟化铟电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。高纯氟化铟粉末近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。

镓可用于医疗诊断，例如使用枸橼酸镓(67Ga)来诊断肺癌和肝癌等。氟化铟镓的合金还可以应用到医疗器件和医用材料中，例如使用镓合金作为牙齿填充材料，使用“铟镓合金”制作体温计等。镓可用于医疗诊断，例如使用枸橼酸镓(67Ga)来诊断肺癌和肝癌等。氟化铟粉末镓的合金还可以应用到医疗器件和医用材料中，例如使用镓合金作为牙齿填充材料，使用“铟镓合金”制作体温计等。

钪是稀土元素的一种，是应用于诸多国防军工及高科技领域的不可替代的战略资源。氟化铟金属钪粉在新材料领域中的应用，包括在铝钪合金、燃料电池、钪钠卤灯、示踪剂、激光晶体、特种钢和有色合金中的作用，并分析了它们的具体应用领域。抚顺氟化铟随后分析了制约钪规模化应用的因素，并简要介绍了当前钪资源的生产开发状况。

用途：用于制锗，也用于电子工业。用作半导体材料。氟化铟用作金属锗和其他锗化合物的制取原料、制取聚对苯二甲酸乙二酯树脂时的催化剂以及光谱分析和半导体材料。可以制造光学玻璃荧光粉，可作为催化剂用于石油提炼时转化、去氢、汽油馏份的调整、彩色胶卷及聚脂纤维生产。氟化铟粉末不但如此，二氧化锗还是聚合反应的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，随着技术的发展，二氧化锗被广泛用于制作高纯金属锗、锗化合物、化工催化剂及医药工业，PET树脂、电子器件等。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氟化铟同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。抚顺氟化铟β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。