对于蒸发镀膜：一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程(散点-岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。金属镓厚度均匀性主要取决于：1、基片材料与靶材的晶格匹配程度；2、基片表面温度；3、蒸发功率，速率；4、真空度；5、镀膜时间，厚度大小。组分均匀性：蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。南通金属镓晶向均匀性：1、晶格匹配度；2、基片温度；3、蒸发速率

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。金属镓我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。南通金属镓厂家其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。

氧化钪(Sc2O3)是钪制品中较为重要的产品之一。金属镓它的物化性质与稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生产中采用的生产方法极为相似。Sc2O3可生成金属钪(Sc)，不同盐类(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多种钪合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的产物。这些钪制品具有实用的技术价值及较好的经济效果。金属镓厂家由于Sc2O3具有一些特性,所以在铝合金、电光源、激光、催化剂、激活剂、陶瓷和宇航等方面已有较好的应用，其发展前景十分广阔。

锗粉,常见的微米级锗粉和亚纳米锗粉一般都是将金属锗锭通过物理破碎的方式加工而成的粉末。金属镓锗粉具有金属锗同样优秀的光学性能和半导体性能。锗粉按加工设备分类有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨锗粉能够达到亚纳米粒径。高纯金属镓储粉主要用于治金、荧光粉,锗粉还可以用于锗半导体器件,如锗二极管、品体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器件作光电锗粉用于霍耳及压阻效应的传感器,作光电导效应的放射线检测器等,广泛用于彩电、电脑、电话及高频设备中。

生产工艺技术及设备经过多年来的研究和生产实践后，目前从含钪原料中提取Sc2O3的工艺技术有下列几种方法：①萃取法。金属镓生产中使用较多,其具有产量大、质量好、回收率高、成本低及生产中可连续作业的特点。②离子交换法。生产中也常被采用。其具有产量小，纯度较高，收率较低，成本较高及生产周期长的特点。③萃淋树脂色层法。其具有生产周期短，纯度高，收率高和成本低的特点。④液膜萃取法。高纯金属镓它是膜分离与液液萃取相结合的一种新型分离技术。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。金属镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。南通金属镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。