氧化锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。氮化镓锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。乌兰察布氮化镓锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。

镓可用于医疗诊断，例如使用枸橼酸镓(67Ga)来诊断肺癌和肝癌等。氮化镓镓的合金还可以应用到医疗器件和医用材料中，例如使用镓合金作为牙齿填充材料，使用“铟镓合金”制作体温计等。镓可用于医疗诊断，例如使用枸橼酸镓(67Ga)来诊断肺癌和肝癌等。氮化镓粉末镓的合金还可以应用到医疗器件和医用材料中，例如使用镓合金作为牙齿填充材料，使用“铟镓合金”制作体温计等。

于从含钪矿物中直接提取钪制品较困难，因而目前主要从处理含钪矿物的副产物如废渣、废水、烟尘、赤泥中回收和提取氧化钪，再以高纯氧化钪制备金属钪、钪铝中间合金、钪盐等钪产品。氮化镓据新思界产业研究中心发布的《2019-2023年中国钪产品行业市场供需现状及发展趋势预测报告 》。求购氮化镓粉末目前从工业废液中直接提取钪的工艺主要有三种：溶剂萃取法、化学沉淀法、离子交换法。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氮化镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。乌兰察布氮化镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

铟是一种很软的、带蓝色色调的有银白色金属光泽的金属。氮化镓铟比铅还软，即使在液态氮的温度下；用指甲可以轻易地留下划痕，铟也能在和其他金属摩擦的时候附着到其他金属上去。氮化镓粉末铟的挥发性比锌和镉的小，但在氢气或真空中能够升华。铟及其化合物对人体没有明显的危害，但应避免它们和身体破伤的部位接触。铟能形成+1、+2和+3价的化合物，其中主要为+3价的铟化合物，如In2O3、InCl3、InN等。铟粉主要用于太阳能电池导电浆，补牙材料，以及用作透明电极（ITO膜）、电子工业中焊料、低熔合金、高性能发动机的轴承、低温和真空领域作密封件等。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。氮化镓特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。氮化镓粉末这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。