镓的市场小，很容易受外界的影响，中铝河南、遵义工厂的开工使镓的供应增加，市场对后市供应可能会再度过剩的恐慌情绪对价格产生影响，造成镓的价格难以维持平稳，镓的进行价格调整期。氧化铟需要指出的是，目前镓的价格已经接近生产成本线，后续镓的生产将进入亏本经营，镓市场降价趋势的过早来临改变了本年度下游对市场的预期，2017年的最后一个多月，镓市场将会进入煎熬的调整期。氧化铟价格下周镓的市场预期仍不被看好，将稳中有降低。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氧化铟同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。运城氧化铟β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

锗粉,常见的微米级锗粉和亚纳米锗粉一般都是将金属锗锭通过物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化铟锗粉具有金属锗同样优秀的光学性能和半导体性能。锗粉按加工设备分类有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨锗粉能够达到亚纳米粒径。高纯氧化铟储粉主要用于治金、荧光粉,锗粉还可以用于锗半导体器件,如锗二极管、品体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器件作光电锗粉用于霍耳及压阻效应的传感器,作光电导效应的放射线检测器等,广泛用于彩电、电脑、电话及高频设备中。

几年来，科学家们也一直致力于研究这种材料氧化镓（ga2O3）。氧化铟这种新型半导体的带隙相对较大，为4.8电子伏，这意味着在电力电子领域，特别是在高电压被转换成低电压的情况下，氧化镓至少部分地可以超过当前恒星的阶段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。运城高纯氧化铟价格到目前为止，SiC是唯一一种不易产生明显缺陷的基体，但外延生长速度相对较慢。对于氮化镓来说，仍然没有有效的方法来生产大体积的合适的单晶。因此，它被沉积到像蓝宝石或硅这样的外来基板上，但它们的不同晶格常数导致了外延过程中的错位。

纯的Sc2O3可用作彩色电视显象管阴极电子枪的氧化阴极激活剂,效果较好。氧化铟在彩管阴极上端喷一层一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化层，上面再弥散一层0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化层阴极中因Mg、Sr与Ba发生反应，促使Ba还原,释出的电子更活跃，发出大电流电子，使荧光体发光，比不用Sc2O3涂层的阴极可提高电流密度4倍，使电视画面更清晰，使阴极寿命提高3倍。氧化铟价格每台21英寸显像阴极用Sc2O3量为0.1mg。目前在世界上一些国家已用此阴极，如日本用的较多，可提高市场竞争力，促进电视机的销量。