对于溅射类镀膜：可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。金属钪粉溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之。大同金属钪粉溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较般。以pld为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。

金属之间有生成合金的趋向。合金便是不同金属间的互溶现象。金属钪粉一般金属间构成合金需求很高的温度。但有些金属间并非需求高温，例如水 银在常温下就能够与多种金属构成合金。镓也有这种功用，由于家的熔点很低，在30摄氏度就成为了液态，这种液态的镓就能够与其他金属生成合金，也便是对其他金属有溶解的效果，对其他金属形成腐蚀。金属钪粉粉末所以镓不能装在金属容器中。

氮化镓作为一种与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，因与锗半导体互为等电子体，却拥有不同的结构与带隙，就引起了科学界对探索其特性的广泛兴趣。金属钪粉氮化镓材料拥有良好的电学特性，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，氮化镓器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料。求购金属钪粉粉末其也因此被业界看做是第三代半导体材料的代表。

使金属镓在室温或加热的条件下与硫酸反应即可得到硫酸镓的水溶液。金属钪粉或者将新制得的氢氧化镓Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸镓的水溶液。将这种硫酸镓水溶液在60～70℃的温度下进行浓缩，将所得的浓溶液冷却，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸镓Ga2(SO4)3·18H2O的八面体结晶。大同金属钪粉反应中所用的氢氧化镓沉淀可用向三价镓盐的水溶液加氨水制得。为了使生成的氢氧化镓沉淀不致发生溶解，应注意不要使氨水加入过量。为了易于过滤，在沉定过程中可适当加热。