氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氟化钡同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。忻州氟化钡β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

于从含钪矿物中直接提取钪制品较困难，因而目前主要从处理含钪矿物的副产物如废渣、废水、烟尘、赤泥中回收和提取氧化钪，再以高纯氧化钪制备金属钪、钪铝中间合金、钪盐等钪产品。氟化钡据新思界产业研究中心发布的《2019-2023年中国钪产品行业市场供需现状及发展趋势预测报告 》。高纯氟化钡厂家目前从工业废液中直接提取钪的工艺主要有三种：溶剂萃取法、化学沉淀法、离子交换法。

氧化铟的合成方法有哪些？将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3，精细控制还原条件可制得高纯In2O3。高纯氟化钡厂家也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，In2O3有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为In2O3容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。氟化钡将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成In2O3，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。

氧化钪(Sc2O3)是钪制品中较为重要的产品之一。氟化钡它的物化性质与稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生产中采用的生产方法极为相似。Sc2O3可生成金属钪(Sc)，不同盐类(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多种钪合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的产物。这些钪制品具有实用的技术价值及较好的经济效果。氟化钡厂家由于Sc2O3具有一些特性,所以在铝合金、电光源、激光、催化剂、激活剂、陶瓷和宇航等方面已有较好的应用，其发展前景十分广阔。

目前，我国金属镓的消费领域包含半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性资料等，其中半导体行业已成为镓最大的消费领域，约占总消费量的80%。氟化钡随着镓下游应用行业的快速发展，尤其是半导体和太阳能电池领域，未来对金属镓的需求也将稳步增长。镓的用途用来制作光学玻璃、真空管、半导体的原料。装入石英温度计可测量高温。加入铝中可制得易热处理的合金。镓和金的合金应用在装饰和镶牙方面。氟化钡厂家也用来作有机合成的催化剂。镓是银白色 金属 。密度5.904克/厘米3。熔点29.78℃。沸点2403℃。化合价2和3。第一电离能5.999电子伏特。凝固点很低。

镓也被应用到太阳能电池的制造中，如砷化镓三五族太阳能电池，该电池具有良好的耐热、耐辐射等特性，其光电转换率非常高。氟化钡最初因为生产、使用成本都非常高，常常被应用在航天和军工领域。但近几年随着科技的发展，金属镓太阳能电池的生产和使用成本都在降低，搭配上聚光光学组件从而使其应用领域开始扩大，并且正在以较快的速度普及。CIGS薄膜太阳能电池是第三代太阳能电池，具有生产、安装、使用成本低，光电转换率高的优势，因而在众多太阳能电池产品中成为发展最快的一族。高纯氟化钡虽然世界上已投产或在建的CIGS工厂已超过40多家，但金属镓在CIGS的原材料中所占比重仅为5%—10%。随着CIGS生产规模的扩大，该行业对金属镓的需求会有明显增长。