氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氧化铟同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。宁波氧化铟β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

几年来，科学家们也一直致力于研究这种材料氧化镓（ga2O3）。氧化铟这种新型半导体的带隙相对较大，为4.8电子伏，这意味着在电力电子领域，特别是在高电压被转换成低电压的情况下，氧化镓至少部分地可以超过当前恒星的阶段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。宁波高纯氧化铟粉末到目前为止，SiC是唯一一种不易产生明显缺陷的基体，但外延生长速度相对较慢。对于氮化镓来说，仍然没有有效的方法来生产大体积的合适的单晶。因此，它被沉积到像蓝宝石或硅这样的外来基板上，但它们的不同晶格常数导致了外延过程中的错位。

金属铋粉主要用于制造易熔合金，熔点范围是47～262℃，最常用的是铋同铅、锡、锑、铟等金属组成的合金，用于消防装置、自动喷水器、锅炉的安全塞，一旦发生火灾时，一些水管的活塞会“自动”熔化，喷出水来。氧化铟在消防和电气工业上，用作自动灭火系统和电器保险丝、焊锡。铋合金具有凝固时不收缩的特性，用于铸造印刷铅字和高精度铸型。氧化铟粉末碳酸氧铋和硝酸氧铋用于治疗皮肤损伤和肠胃病。用于制低熔合金，在消防和电气安全装置上有特殊的重要性，在分析化学中用于检测Mn。铋可制低熔点合金，用于自动关闭器或活字合金中。

用途：用于制锗，也用于电子工业。用作半导体材料。氧化铟用作金属锗和其他锗化合物的制取原料、制取聚对苯二甲酸乙二酯树脂时的催化剂以及光谱分析和半导体材料。可以制造光学玻璃荧光粉，可作为催化剂用于石油提炼时转化、去氢、汽油馏份的调整、彩色胶卷及聚脂纤维生产。氧化铟粉末不但如此，二氧化锗还是聚合反应的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，随着技术的发展，二氧化锗被广泛用于制作高纯金属锗、锗化合物、化工催化剂及医药工业，PET树脂、电子器件等。