几年来，科学家们也一直致力于研究这种材料氧化镓（ga2O3）。氧化锗这种新型半导体的带隙相对较大，为4.8电子伏，这意味着在电力电子领域，特别是在高电压被转换成低电压的情况下，氧化镓至少部分地可以超过当前恒星的阶段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。晋中求购氧化锗粉末到目前为止，SiC是唯一一种不易产生明显缺陷的基体，但外延生长速度相对较慢。对于氮化镓来说，仍然没有有效的方法来生产大体积的合适的单晶。因此，它被沉积到像蓝宝石或硅这样的外来基板上，但它们的不同晶格常数导致了外延过程中的错位。

生产工艺技术及设备经过多年来的研究和生产实践后，目前从含钪原料中提取Sc2O3的工艺技术有下列几种方法：①萃取法。氧化锗生产中使用较多,其具有产量大、质量好、回收率高、成本低及生产中可连续作业的特点。②离子交换法。生产中也常被采用。其具有产量小，纯度较高，收率较低，成本较高及生产周期长的特点。③萃淋树脂色层法。其具有生产周期短，纯度高，收率高和成本低的特点。④液膜萃取法。求购氧化锗它是膜分离与液液萃取相结合的一种新型分离技术。

在新型电光源中的应用，如钪-钠素灯，该灯发出的光接近太阳光，具有光度高，光色好，节电能，寿命长，破雾能力强等。氧化锗在激光中的应用，在GGG加入钪后，制成GSGG，发射功率比同体积的其它激光器提高了三倍，并可达到大功率化和小型化的要求。在合金中的应用：在合金材科中主要用于合金的添加剂和改性剂，在铝及铝合金中加入钪后，可有效提高合金的综合性能。求购氧化锗粉末如合金的强度、硬度、耐热性、耐蚀性和焊接性等有明显提高。在其它领域的应用：如在中子过滤材料中加入钪后，在核燃料过滤时，可防止UO2发生相变，利于运行作业。如含钪的阴极用于彩电显像管内，使的电源密度提高4倍，阴极使用寿命增长3倍等。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。氧化锗同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。晋中氧化锗β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。