SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。氧化镓我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。呼伦贝尔氧化镓粉末其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。

锗粉,常见的微米级锗粉和亚纳米锗粉一般都是将金属锗锭通过物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化镓锗粉具有金属锗同样优秀的光学性能和半导体性能。锗粉按加工设备分类有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨锗粉能够达到亚纳米粒径。求购氧化镓储粉主要用于治金、荧光粉,锗粉还可以用于锗半导体器件,如锗二极管、品体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器件作光电锗粉用于霍耳及压阻效应的传感器,作光电导效应的放射线检测器等,广泛用于彩电、电脑、电话及高频设备中。

于从含钪矿物中直接提取钪制品较困难，因而目前主要从处理含钪矿物的副产物如废渣、废水、烟尘、赤泥中回收和提取氧化钪，再以高纯氧化钪制备金属钪、钪铝中间合金、钪盐等钪产品。氧化镓据新思界产业研究中心发布的《2019-2023年中国钪产品行业市场供需现状及发展趋势预测报告 》。求购氧化镓粉末目前从工业废液中直接提取钪的工艺主要有三种：溶剂萃取法、化学沉淀法、离子交换法。

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。氧化镓而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。求购氧化镓分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要应用于生产液晶显示仪ITO和高能碱性电池锌粉及荧光材料等方面。规格：氧化铟为黄色粉末状。氧化铟每瓶重1000g±10g。化学成分：（Q指企业标准）

氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。氧化镓电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀刘、化学试剂等传统领域。求购氧化镓粉末近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。

氮化镓作为一种与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，因与锗半导体互为等电子体，却拥有不同的结构与带隙，就引起了科学界对探索其特性的广泛兴趣。氧化镓氮化镓材料拥有良好的电学特性，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，氮化镓器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料。求购氧化镓粉末其也因此被业界看做是第三代半导体材料的代表。