氮化镓作为一种与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料，因与锗半导体互为等电子体，却拥有不同的结构与带隙，就引起了科学界对探索其特性的广泛兴趣。硫酸镓氮化镓材料拥有良好的电学特性，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，氮化镓器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料。高纯硫酸镓粉末其也因此被业界看做是第三代半导体材料的代表。

金属之间有生成合金的趋向。合金便是不同金属间的互溶现象。硫酸镓一般金属间构成合金需求很高的温度。但有些金属间并非需求高温，例如水 银在常温下就能够与多种金属构成合金。镓也有这种功用，由于家的熔点很低，在30摄氏度就成为了液态，这种液态的镓就能够与其他金属生成合金，也便是对其他金属有溶解的效果，对其他金属形成腐蚀。硫酸镓粉末所以镓不能装在金属容器中。

氧化镓的导热性能较差，但其禁带宽度(4.9eV)超过碳化硅(约3.4eV)，氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)的。硫酸镓由于禁带宽度可衡量使电子进入导通状态所需的能量。采用宽禁带材料制成的系统可以比由禁带较窄材料组成的系统更薄、更轻，并且能应对更高的功率，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。高纯硫酸镓粉末宽禁带允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却系统的需求。

对于不同的溅射材料和基片，参数需要实验确定，是各不相同的。高纯硫酸镓粉末镀膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。硫酸镓MBE分子束外沿镀膜技术，已经比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。