金属钪比起钇和镧系元素来，由于离子半径特别小，氢氧化物的碱性也特别弱，因此，钪和稀土元素混在一起时，用氨（或极稀的碱）处理，钪将首先析出，故应用“分级沉淀”法可比较容易地把它从稀土元素中分离出来。纳米氧化镓另一种方法是利用硝酸盐的分极分解进行分离，由于硝酸钪容易分解，从而达到分离的目的。纳米氧化镓厂家用电解的方法可制得金属钪，在炼钪时将ScCl3、KCl、LiCl共熔，以熔融的锌为阴极电解之，使钪在锌极上析出，然后将锌蒸去可得金属钪。

氧化铟的合成方法有哪些？将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3，精细控制还原条件可制得高纯In2O3。高纯纳米氧化镓厂家也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，In2O3有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为In2O3容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。纳米氧化镓将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成In2O3，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。

氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。纳米氧化镓同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。抚顺纳米氧化镓β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

氟化镓:白色结晶粉末。六方晶结构。纳米氧化镓易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英，晶体结构为离子晶体。物化性质:白色结晶粉末。六方晶结构。密度4.47g/cm³。熔点约1000℃。在氮气流中约800℃下升华而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氢氟酸中。由六氟镓酸铵热分解制取。三水合物易溶于稀盐酸。具强腐蚀性，可以腐蚀玻璃、石英。高纯纳米氧化镓厂家氟化镓是一种无机化合物。这种白色固体的熔点超过1000°C，但是在950°C左右就会升华。它具有FeF3型结构，镓原子为6配位。

氧化钪的化学式为Sc2O3。性质：白色固体。具有稀土倍半氧化物的立方结构。密度3.864.熔点2403℃±20℃。不溶于水，溶于热酸中。纳米氧化镓由钪盐热分解制得。可用作半导体镀层的蒸镀材料。制做可变波长的固体激光器和高清晰度的电视电子枪、金属卤化物灯等。由于Sc2O3产品具有独特的物化性质，故在20世纪80年代以来，在许多高新技术和工业部门中获得了较好的应用发展。高纯纳米氧化镓厂家目前我国及世界的Sc2O3在合金、电光源、催化剂、激活剂和陶瓷等领域的应用状况叙述于后。