氧化镓（β-Ga2O3）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，电子迁移率为300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。醋酸铟同时通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率电子电力器件。唐山醋酸铟β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，因此Ga2O3提供了一种更高效更节能的选择。

钪在合金中主要起着变质和细化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈现了性能优异的特色。醋酸铟Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄罗斯已达到17种Al-Sc系列，我国也有几种合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。这类合金的特性其它材料无法代替，故从发展上看，其应用发展及潜力是很大的，可望成为今后的应用大户。唐山醋酸铟如俄罗斯已工业化生产，且用于轻型结构件发展较快，我国也正在加快研制和应用，特别是在宇航和航空方面前景最好。

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